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专利总数:11条,更新日期:2018.04.24| 标记/翻译总数:1212条

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200910048217 2009-3-26 0:00:00 C30B29/22(2006.01)I;C30B1/10(2006.01)I;C04B35/45(2006.01)I;C04B35/50(2006.01)I 0 2009-9-30 0:00:00 姚 忻;李天宇
  本发明涉及一种以Ba3Cu5Ox粉末为流体源制备钇钡铜氧超导块体材料的方 法,可实现加工复杂形状YBCO超导块体材料。首先将Y211粉末压制成前驱体 片并在其顶部放上SmBCO单晶作籽晶,以Ba3Cu5Ox粉末作为流体源,通过顶部籽 晶渗透法制备高温超导YBCO块体材料。本发明工艺简单,容易操作,能够在无 杂质且晶格完全匹配的情况下生长取向性好并具有大单畴结构的复杂形状高温 超导YBCO块体材料,可以解决高温超导体块材生长和应用的关键问题。  
200910050309 2009-4-30 0:00:00 C30B29/22(2006.01)I;C30B15/36(2006.01)I 0 2009-9-30 0:00:00 曹顿华;赵广军;董 勤;陈建玉;丁雨憧;程 艳;王春芳
  一种铈锰共掺的铝酸钇(镥)超快闪烁晶体及其制备方法,该晶体的化学式为:化 学式为CexMnyY(Lu)1-xAl1-yO3,简写为Ce,Mn:Y(Lu)AP,其中x、y的取值范围 是:0.0001≤x≤0.01,0.0001<y≤0.01)。其制备方法是采用提拉法生长。本发明生 长的Ce,Mn:Y(Lu)AP晶体有晶体光学质量高、完整无开裂,具有超快的闪烁时间 (10ns),较高的光子产额。  
200910048383 2009-3-27 0:00:00 C30B33/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;B05D1/24(2006.01)I;B05D3/10(2006.01)I 0 2009-9-30 0:00:00 安双利
  一种在单晶硅片表面制备Si3N4复合薄膜的方法,将表面经过处理的单晶基片作为基底材 料,在其表面采用自组装法制备磺酸基硅烷,然后将基片放入Si3N4分散液中,在其表面制备 Si3N4复合薄膜。先将基片浸泡在王水中加热5~6小时,取出用去离子水清洗,置入羟基化溶 液,室温处理1小时,清洗干燥后浸入配制好的巯基硅烷溶液,静置6~8小时取出,冲洗后 用氮气吹干置于硝酸中,把端巯基原位氧化成磺酸基,再将基片置入Si3N4的悬浮液,在20~ 60℃静置2~24小时取出,冲洗后用氮气吹干,这样就得到表面沉积有Si3N4的复合薄膜。本 发明可以将摩擦系数从无膜时的0.8降低到0.1,具有十分明显的减摩效应。  
200910050591 2009-5-5 0:00:00 C30B33/02(2006.01)I;C30B29/28(2006.01)I 0 2009-9-30 0:00:00 曹顿华;赵广军;董 勤;陈建玉;丁雨憧;程 艳
  一种提高掺铈钇铝石榴石晶体发光效率的退火方法,其特点是对石墨加热体方 法生长的Ce:YAG晶体进行低温氧气退火或高温氢气退火。包括以下步骤:先用丙 酮或者酒精清洗晶体;把Ce:YAG晶体放在炉膛的白宝石或者纯YAG晶体基片上; 升温;恒温退火;降温到室温;从炉膛取出Ce:YAG晶体。本发明能有效地消除晶 体中存在的碳相关的缺陷,提高晶体的透过性能;氧化晶体中生长过程中形成Ce2+ 离子,因此需要提高Ce3+离子浓度,同时尽可能抑制Ce4+离子,避免Ce4+离子引 起的淬灭效应,从而最大程度地提高Ce:YAG晶体的发光强度。  
200910050267 2009-4-29 0:00:00 H01L31/18(2006.01)I;C03C17/22(2006.01)I;C30B33/00(2006.01)I;H01L31/0264(2006.01)I 0 2009-9-30 0:00:00 穆 帅;康诗钊
  本发明提供了一种CuInS2超薄膜的制备方法和一种CuInS2薄膜。本发明提供的方法 包括:A)基片表面的3-巯基丙基三甲氧基硅烷修饰;B)将修饰后的基片依次浸入到含 Cu2+、双硫醇、In3+和双硫醇的乙醇溶液中浸泡;C)重复步骤B)多次,制备(-Cu2+-双 硫醇-In3+-双硫醇-)n多层膜;D)将(-Cu2+-双硫醇-In3+-双硫醇-)n多层膜焙烧并冷却 至室温。本发明提供的CuInS2薄膜采用上述方法制备。使用本发明提供的方法制备CuInS2 超薄膜,不仅反应条件温和,设备简单,而且获得的CuInS2纳米超薄膜结晶度高、均匀 致密;此外,本发明的方法可以通过控制交替浸泡的次数来控制膜的层数,从而根据需要 控制膜的厚度。  
200910013908 2009-1-7 0:00:00 C22C30/00(2006.01)I;C22C1/04(2006.01)I;B22F3/16(2006.01)I 0 2009-6-17 0:00:00 王守仁;杨学锋;李 萍
  本发明涉及增压器涡轮技术领域,尤其涉及增压器涡轮的材料,本发明还 涉及这种增压器涡轮的制造方法。它由下述重量比的成分组成,Ti 40~50%, Al 40~50%,Cr 6~8%,Mn 0.80~1.30%,Mm 2.0-3.0%。由于增压器涡 轮采用上述钛铝基合金材料,密度减轻了1/3,因而其相应性好,滞后相应减弱, 在高温、高压和高速的情况下,变形量小并很少产生积碳,是合金增压器涡轮 镍基K418合金的理想替代产品。本发明还公开了这种增压器涡轮的制造方法, 主要包括机械和进化、退火热处理、冷压、真空热压和熔炼浇注等步骤,该方 法简单方便,投资少,有利于工业化规模生产。  
200910095641 2009-1-15 0:00:00 C07C311/37(2006.01)I;C07C303/40(2006.01)I 0 2009-6-24 0:00:00 丁千昌;李新生;徐东成
  本发明涉及盐酸坦洛新的不对称制备方法:将(R)-二茂铁基乙胺 和5-丙酮基-2-甲氧基苯磺酰胺溶解在溶剂中进行缩合反应,得到亚 胺化合物,亚胺化合物通过还原反应得到(R)-5-[2-(N-二茂铁乙胺)丙 基]-2-甲氧基苯磺酰胺;(R)-5-[2-(N-二茂铁乙胺)丙基]-2-甲氧基苯磺 酰胺,在碱的作用下和邻2-溴乙氧基苯乙醚反应,经过后处理得到 (R)-5-[[2-[N-(2-乙氧基-苯氧基)乙基]-N二茂铁乙胺]丙基]-2-甲氧基苯 磺酰胺,(R)-5-[[2-[N-(2-乙氧基-苯氧基)乙基]-N二茂铁乙胺]丙基]-2- 甲氧基苯磺酰胺在酸酐的作用下得到手性酰胺化合物和二茂铁基乙 醇羧酸酯、手性酰胺化合物,经过后处理得到盐酸坦洛新。该制备方 法操作简单、切实可行,收率和纯度好,对环境友好,具有工业化生 产前景。  
200910071248 2009-1-9 0:00:00 C22C30/04(2006.01)I;C22C1/02(2006.01)I 0 2009-6-24 0:00:00 陈 枫;田 兵;李 莉;郑玉峰
  本发明提供的是一种NiCoMnSn高温形状记忆合金及其制备方法。按照Ni43Co7Mn50 -XSnX的原子百分比称取Ni、Co和Sn,其中X=7~10;将第一步中称取的Ni、Co、 Mn和Sn原料放入非自耗真空电弧炉内,抽取真空使得背底真空度达到2×10-2~5 ×10-3Pa,然后充高纯氩气至500Pa,利用高温电弧将原料熔炼成NiCoMnSn钮扣状 铸锭;利用真空吸铸装置制备直径10mm的棒状铸锭,得到Ni43Co7Mn50-XSnX高温形状 记忆合金。本发明制备NiCoMnSn合金马氏体相变温度在120~300℃,原料合金元素 相对低廉,制备方法简单,成分均匀,无需后续热处理。形状记忆效应最大可达3.8%, 热循环稳定性高,是一种具有应用前景的新型高温形状记忆合金。  
200910095375 2009-1-12 0:00:00 C30B35/00(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I 0 2009-6-24 0:00:00 梁兴勃;张向成;王 震;陈 华;徐林海;丁海东;彭世煜
  本发明公开的压力可控的外延顶笔装置,包括顶笔头,笔身,滑杆,弹簧, 筒状笔杆和预紧螺丝,顶笔头紧固在笔身的一端,笔身的另一端设有中心螺纹 孔和导向槽,滑杆置于筒状笔杆中,滑杆的一端与笔身的中心螺纹孔螺纹连接, 滑杆的另一端具有与笔杆中的环形面配合的凸台,预紧螺丝拧接在筒状笔杆末 端的螺纹孔中,弹簧置于笔杆的螺纹孔中,其一端抵住预紧螺丝,另一端抵住 滑杆凸台的端面,笔杆的顶端设有与导向槽匹配的突出部分。该装置能够将顶 笔作用于衬底片上的压力控制在一定的范围内,消除由于人为因素造成的顶片 效果差别,提高外延片的电阻率一致性和厚度均匀性。  
200920038513 2009-1-8 0:00:00 C30B11/00(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I 0 2009-10-28 0:00:00 杨艳红;张伏严
  本实用新型提供一种多晶硅结晶炉炉壁保护的石英内衬,石英内衬的 形状呈规则的半球形不透明立体结构,上部敞开;石英内衬的壁厚在2mm~ 60mm;另外,石英内衬的内壁上喷涂有氮化硅层。本实用新型根据多晶炉 的技术要求提供与之配合的炉壁保护石英内衬,有效避免结晶炉结晶过程 中出现的漏硅现象对结晶炉造成的伤害,非常实用。  
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