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专利总数:12条,更新日期:2018.01.20| 标记/翻译总数:1212条

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200910082124 2009-4-14 0:00:00 C01G9/02(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C04B41/50(2006.01)I 0 2009-9-23 0:00:00 常永勤;陆映东;杨 林;崔兴达
  一种纳米ZnO半导体结阵列及其制备方法,属于低维纳米材料和纳米技术领域。 本方法采用CVD方法在Si衬底上制备出ZnO籽晶,然后将籽晶放置在溶液中继续 生长;将溶液法生长后的产物进行热处理,冷却后再进行一次溶液法生长即可获得所 需要的产物。在两次溶液法生长过程中可以对ZnO进行掺杂,实现ZnO半导体结的 阵列化,且能实现在单个ZnO微米柱上生长纳米ZnO阵列。本方法不仅能够实现ZnO 同质结阵列的生长,也可用来生长ZnO异质结阵列,且生长温度低,设备简单,成 本低。  
200910301765 2009-4-23 0:00:00 H01L21/329(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 0 2009-9-23 0:00:00 徐静波;张海英
  本发明涉及化合物半导体材料、器件技术领域的一种基于ZnO纳米线的整流二极管的制 作方法。本发明提供一种基于ZnO纳米线的整流二极管的制作方法,其步骤包括生长介质、 制作ZnO纳米线定位标记、将ZnO纳米线转移并淀积在介质上、对ZnO纳米线进行定位、制作 电极。本发明利用ZnO纳米线材料特性,经过上述工艺流程,制作出有别于传统PN结二极管 整流特性的基于ZnO纳米线的整流二极管,基于ZnO纳米线的整流二极管在纳米光电子学和电 子学、生物传感等领域具有潜在应用价值,本发明为以后制作纳米量级整流二极管器件带来 了新的思路。  
200910301768 2009-4-23 0:00:00 H01L21/336(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I 0 2009-9-23 0:00:00 徐静波;付晓君;张海英
  本发明涉及化合物半导体材料、器件技术领域的一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体 管的制作方法。为了解决现有ZnO纳米线场效应晶体管工作电流小、与实际应用有较大差距 的问题,本发明提供一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法,其步骤包括介质 生长、背栅电极制作、底层源漏电极制作、使用交流双向介电电泳技术初步固定ZnO纳米线 、使用基于AFM的纳米操控技术精确操控ZnO纳米线、顶层源漏电极制作。本发明将多根ZnO 纳米线作为并联沟道并悬浮于空中,能够大幅度提高器件的电流、跨导、截止频率等器件性 能以及紫外、气体、化学传感性能。  
200910067983 2009-2-27 0:00:00 B23C3/00(2006.01)I;B81C5/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I 0 2009-9-30 0:00:00 房丰洲;张少婧;徐宗伟;胡小唐
  本发明属于复杂微纳结构和器件的微加工技术领域,涉及一种基于聚焦离子束 (Focused ion beam,FIB)技术的微刀具加工方法,该方法是将FIB技术的应用扩展到微 型刀具的加工中,在设计组建的聚焦离子束系统与高精度的旋转器相结合的实验平台上, 利用聚焦离子束的铣削功能对不同材料的刀具毛坯进行复杂三维结构的微刀具加工。通 过设定恰当的聚焦离子束加工参数以及精确控制刀具毛坯与离子束入射方向之间的方 位,输入不同的灰度图像精确控制FIB铣削,能够加工各种复杂几何形状的微刀具。与 其他传统的刀具加工方法相比,本发明提出的方法具有精度高、可重复性强、应力应变 小、可在线观测、适用于各种材料和几何形状等优点。  
200910049955 2009-4-24 0:00:00 B81B7/04(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;G01N21/00(2006.01)I 0 2009-9-30 0:00:00 程建功;朱德峰;贺庆国;曹慧敏
  高透光基体上复合微纳结构阵列、方法及其应用,其特征在于以高透光 基体上的导光材料微纳结构阵列作为检测用荧光共轭聚合物的支撑结构。首 先在石英等高透光材料基体上制备导光材料的微纳结构阵列及二次结构阵 列,然后将对特定被分析物有传感性能的荧光共轭聚合物包覆到纳米结构基 体的表面形成复合微纳结构阵列,用于目标物检测。本发明将不同导光材料 微纳结构阵列用作荧光共轭聚合物的附着基底,利用微纳结构大比表面积、 倏逝波效应、微谐振腔作用等,提高检测灵敏度、信号强度、延长使用寿命 和提高重复利用性能。本发明可应用于固体、液体及气体分子的特异性和高 灵敏度检测。  
200910031319 2009-5-8 0:00:00 B82B1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I 0 2009-9-30 0:00:00 易 红;朱晓璐;倪中华
  低维纳米结构材料高柔性组装芯片及应用方法,涉及微流控领域以及纳米结构材料 组装领域;该方法通过以下两方面实现微流体腔(4)中的电场分布控制进而构造出用 于实现组装控制的微观力:一方面,通过对引脚阵列(11)中的各引脚激励信号的通断控 制,实现每次只有若干微电极阵列(13)具有电位,进而改变芯片顶部电场的有效边界 区域的面积大小;另一方面,通过缩微光图案生成器(5)将虚拟电极光图案阵列投射 于光电导层(32)之上,进而限定芯片中微流体腔(4)底部的电场边界。  
200910103688 2009-4-24 0:00:00 B82B3/00(2006.01)I 0 2009-9-30 0:00:00 罗 键;王 颖
  一种剧烈塑性变形制备大厚度大面积纳米材料的方法,是一种电磁振动原位复合电磁 场作用载流剧烈搅拌摩擦强制深过冷控制技术制备大厚度大面积金属纳米晶材料和超细 晶材料,电磁振动线圈使搅拌头作高速搅拌运动和一定频率电磁振动相结合的电磁振动搅 拌摩擦复合运动,并在工件内部形成一定强度的交变电磁场,在载流搅拌摩擦和强制深过 冷控制温度机制的共同作用下,金属表面一定厚度内粗晶组织发生剧烈的塑性变形而破碎 形成稳定的纳米晶粒和超细晶组织,实现大厚度大面积组织均匀的金属纳米材料的制备或 表面改性,也可用于搅拌摩擦焊接。  
200910114037 2009-5-7 0:00:00 C01F11/18(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I 0 2009-9-30 0:00:00 黄安定;刘振昭;黄炜民;刘承龙;黎 飞;刘繁球;陈树勋;罗海波;农尚斌;庞健威
  本发明公开了一种制备纳米碳酸钙的方法,属于冷冻碳化法制备,它 首先将生石灰消化,然后碳化,脱水、干燥即可,其碳化过程中包括有一 级碳化、反应混合浆液熟化、二级碳化步骤。优化的制备过程还可加入活 化、分散及表面包覆活化处理步骤。本发明采用两级碳化工艺,使石灰乳 在碳化塔内得到充分反应,保证了气-液接触良好,有利于晶核的生成并 且数量相当,使纳米碳酸钙粒子粒径在20-80nm之间可控,并且产品质 量稳定;同时还大大缩短了碳化时间,提高了生产效率。而且,采用该法 制备纳米碳酸钙,工艺简单,生产投资少,一般仅为其他工艺技术方案投 资的三分之一;同时,产品成本比其他工艺技术生产的产品平均低20%左 右。  
200910049501 2009-4-17 0:00:00 C01G51/04(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I 0 2009-9-30 0:00:00 高 濂;孙 静;邵永正
  本发明提供了一种水热制备层片状Co(OH)2和Co3O4纳米棒的方法。主 要特征是以水合肼和磷酸钠为结构导向剂来控制形貌,以硝酸钴为原料,同 时水合肼又充当反应物和抗氧化剂的作用。在水热180℃下反应18h,得到 层片状Co(OH)2纳米棒,然后在400℃煅烧4h得到Co3O4纳米棒。通过改变 反应时间清楚地观察到层片状Co(OH)2纳米棒的转变过程,先生成表面光滑 的纳米棒,然后延长时间会在侧面长出小片,转变成层片状纳米棒。控制反 应时间可以获得纳米棒或层片状纳米棒。而此层片状纳米棒相对于纳米棒具 有更大的比表面积和表面富有纳米片未稍。  
200910044864 2009-1-5 0:00:00 H01M4/04(2006.01)I;H01M4/52(2006.01)I;H01M10/36(2006.01)I;H01M10/40(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I 0 2009-6-24 0:00:00 袁正勇;彭振博;陈亚东;李爱元
  本发明涉及高容量锡镍复合氧化物锂离子电池负极材料的制备方法,包括:(1)称 取可溶性锡酸钠和硫酸镍,分别溶解,并配制成溶液,将两种溶液按Sn/Ni原子比为0.5~2 进行配比混合,并不停的搅拌,将产生沉淀过滤,用蒸馏水洗涤3-7次,置于真空烘箱 中充分干燥,得到固体粉末前驱物;(2)将前驱物在流动的惰性气体保护氛围下,在马 福炉中以1~30℃/min的升温速度升到280~1200℃,保温0.5~8小时,保温结束后随炉冷 却到室温,即得。该方法制备工艺简单,成本低,合成的锡镍复合氧化物粉体颗粒均匀, 颗粒尺寸为纳米级,结构为非晶态或晶态,制备出的锡镍复合氧化物负极材料贮锂容量 高,循环性能好。  
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